lunes, 16 de mayo de 2011
Diodo - SEGUNDO CORTE.
Silicio
Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un átomo tetravalente (típicamente del grupo IV A de la tabla periódica) se le une un átomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo III A de la tabla periódica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrara en condición de aceptar un electrón libre.
Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un átomo tetravalente (típicamente del grupo IV A de la tabla periódica) se le une un átomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo III A de la tabla periódica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrara en condición de aceptar un electrón libre.
Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se añade el material dopante aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo V A de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una
Cuando se añade el material dopante aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo V A de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una
SEMICONDUCTOR
Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
El elemento semiconductor más usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear también el azufre. La característica común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica s²p².
El elemento semiconductor más usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear también el azufre. La característica común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica s²p².
viernes, 8 de abril de 2011
BOBINAS
Consiste en el arrollamiento en forma de boina.
Sobre un nucleo lo cual permite la acomulacion de energia magnetica.
Sobre un nucleo lo cual permite la acomulacion de energia magnetica.
CONDENSADORES= MICHAEL FADARAY
Son dos placas metalicas las cuales estan separadas por un dielectrico ( aislante ) que permite la acumulacion de cargas ( + y - ) actuando como un almacenador de energia electrica.
ALMACENADORES DE ENERGIA
Los acumuladores de energia son utlizados en electronica para poder utilizar dicha energia almacenada en el momento necesario dependiendo del diseño electronico realizado.
L C K
L C K = Ley de Corriente de Kirchhoff.
La suma de corrientes que entran al nodo es igual ala sumatoria de corrientes que salen del nodo.
La suma de corrientes que entran al nodo es igual ala sumatoria de corrientes que salen del nodo.
L V K
L V K = Ley de Voltaje de Kirchhoff.
La sumatoria de voltaje en lazo cerrado es = a 0.
V= V1 + V2
V - V1 - V2 = 0
LEYES DE KIRCHHOFF
Son dos igualdades que se basan en la conversion de la energia y la carga en los circuitos electricos.
Fueron escritas por primera vez en 1845 por GUSTAV KIRCHHOFF.
Son ampliamente usadas en ingenieria electrica.
Estas leyes son para hallar corrientes y tenciones en cualquier punto de un cricuito electrico.
POTENCIA DE 10
10 ELVADO 0 = 1
10 ELVADO 1 = 10
10 ELVADO 2 = 10 * 10 = 100
10 ELVADO 3 = 10 * 10 * 10 = 1000
10 ELVADO 4 = 10 * 10 * 10 * 10 = 10000
TOPOLOGIA DE RESISTENCIAS
SERIE:
PARALELO:
TENER RESISTENCIA UNA SEGUIDA DE LA OTRA,
COMPARTIENDO UN SOLO TERMINAL.
COMPARTEN DOS TERMINALES.
jueves, 7 de abril de 2011
CORRIENTE ELECTRICA
La corrriente electrica o la intencidad electrica es el flujo de carga por una unidad de tiempo que recorre un material.se debe a un movimiento de los electrones en el interior del material.
En el Sistema Internacional De Unidades se expresa en C/s ( CULOBIOS sobre SEGUNDO ) unidad que se denomina AMPERIO.
Una corriente electrica , puesto que se trata de un movimiento de cargas, produce un campo magnetico lo que se aprovecha en el ELECTROIMAN.
El instrumento usado para medir la intencidad de la corriente electrica que es el GALVANOMETRO que calibra en amperios , se llama AMPERIMETRO, colocada en serie con el conductor cuya intencidad desea medir.
Historicamente , la corriente electrica se definio como un flujo de cargas positivas y se fijo el sentido convencional de circulacion de la corriente como un flujo de cargas desde el polo positivo al negativo y sin embargo posteriormente se observo gracias al efecto HALL.
miércoles, 6 de abril de 2011
RESISTENCIA
La resistencia electrica de un objeto es una medida de su oposicion al paso de corrriente.
Descubierta por Georg Ohm en 1827, la resistencia electrica tiene un parecido ala friccion en la fisica mecanica.
La unidad de la resistencia en el SISTEMA INTERNACIONAL DE UNIDADES es el OHMIO.
Para su medicion en la practica existen diversos metodos , en los que se encuentra el uso de un OHMIMETRO.
Para una gran de cantidad de materiales y condiciones , la resistencia electrica no depende de la corriente electrica que pasa atravez de un objeto o de la tension en los terminos de este.
jueves, 10 de marzo de 2011
GENERACION DE CORRIENTE
Se denomina corriente alterna (abreviada CA en español y en ingles AC ) ala corriente electrica en la que la magnitud y direccion varian ciclicamente.
La forma de onda de la corriente alterna mas comunmente utilizada es la de la onda SENOIDAL , puesto que se consigue una trasmicion mas eficiente de la enrgia.
La CA se refiere ala forma en la cual la electricidad llega alos hogares y alas empresas .
ELECTROSTATICA
La electrostatica es la rama de la fisica que estudia los fenomenos producidos por distribuciones de cargas electricas esto es el campo ELECTROSTATICO de un cuerpo cargado.
La electricidad estatica es un fenomeno que se debe a una acomulacion de cargas electricas en un objeto.
Esta acomulacion puede dar larga a una DESCARGAR ELECTRICA cuando dicho objeto se pone en contacto con otro.
miércoles, 16 de febrero de 2011
AVANCES DE LA ELECTRONICA
LOS AVANCES DE LA ELECTRÓNICA FUERON DESDE MUCHO TIEMPO ATRÁS INCLUSO AÑOS ANTES DE CRISTO, LA ELECTRÓNICA ES UNA CIENCIA TAN ÚTIL QUE TODO TIENE QUE VER CON ELLA DESDE LA ESCRITURA HASTA LOS GRANDES MECANISMOS.
EN LOS SIGUIENTES PUNTOS TRATÁREMOS TODOS LOS AVANCES DE LA ELECTRÓNICA:
HISTORIA DE LA ESCRITURA: Existen diversos hallazgos de representaciones grafías previas propiamente ala escritura , como un ejemplo las escrituras que hacían en las cuevas con una contigüedad de 15.000 a 31.000 años .
el desarrollo de la escritura pudo tener varias motivaciones y funciones diferentes de las que la llevaron a crear otro sistema de escritura como las graficas o jeroglíficos, la invención de la escritura se dio en varios citios del mundo como en EURASIA apareció en ORIENTE MEDIO y EGIPTO y también en CHINA tal vez de una manera independiente las escritura del ORIENTE MEDIO y EGIPTO se expandieron rápidamente por las culturas mas cercanas y por esto es el origen de la mayoría de las escrituras,en AMÉRICA la escritura también apareció en MESOAMERICA.
CARGAS ELÉCTRICAS: La eléctrica en la física es una propiedad de suma prioridad por partículas subatomicas,es un juego de electrones donde hay perdida y ganancia de ellos,que se manifiesta mediante atracciones y repulciones que determinan las interacciones electromagnéticas entre ellas.
EN LOS SIGUIENTES PUNTOS TRATÁREMOS TODOS LOS AVANCES DE LA ELECTRÓNICA:
HISTORIA DE LA ESCRITURA: Existen diversos hallazgos de representaciones grafías previas propiamente ala escritura , como un ejemplo las escrituras que hacían en las cuevas con una contigüedad de 15.000 a 31.000 años .
el desarrollo de la escritura pudo tener varias motivaciones y funciones diferentes de las que la llevaron a crear otro sistema de escritura como las graficas o jeroglíficos, la invención de la escritura se dio en varios citios del mundo como en EURASIA apareció en ORIENTE MEDIO y EGIPTO y también en CHINA tal vez de una manera independiente las escritura del ORIENTE MEDIO y EGIPTO se expandieron rápidamente por las culturas mas cercanas y por esto es el origen de la mayoría de las escrituras,en AMÉRICA la escritura también apareció en MESOAMERICA.
CARGAS ELÉCTRICAS: La eléctrica en la física es una propiedad de suma prioridad por partículas subatomicas,es un juego de electrones donde hay perdida y ganancia de ellos,que se manifiesta mediante atracciones y repulciones que determinan las interacciones electromagnéticas entre ellas.A los electrones se les asigno carga negativa:-1 o -e en cambio a los protones se les asigno carga positiva : +1 o +e.
REVOLUCIÓN INDUSTRIAL: la revolución industrial fue un periodo histórico en la segunda mitad del siglo XVIII y en los principios de XIX en la q lidero INGLATERRA y el resto de EUROPA CONTINENTAL por estas razones hubieron cambios sociales,económicos,culturales , históricos.
La mayor causa de esta gran revolución fueron las maquinas de las industrias ya que por eso aumentaba el desempleo.
MAQUINAS DE VAPOR: Una maquina de vapor es un motor de conbustion externa q transforma la energía térmica de una cantidad de vapor de agua en energía mecánica, se genera vapor de agua como por ejemplo una caldera cerrada por calentamiento la cual produce una expansión de de volumen de un cilindro empujando un piston.
el motor o maquina de vapor fue muy utilizada durante la revolución industrial en la cual tubo un papel muy importante por que se utilizaba para mover grandes maquinas y motores,locomotoras, marinos etc.
en la actualidad las máquinas de vapor son muy poco utilizadas por lo que se ha visto desplazada por el MOTOR ELÉCTRICO en la maquinaria industrial y en el transporte el MOTOR DE CONBUSTION INTERNA.
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